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ON Semiconductor NTLJD3115PT1G
- MFG-Teilenummer
- NTLJD3115PT1G
- verfügbare Anzahl
- 80450 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0.172952
- Unser Preis
- Wir haben einen großen Rabatt, bitte kontaktieren Sie uns
- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- ON Semiconductor
- Kurze Beschreibung
- - MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6-WDFN
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- NTLJD3115PT1G.pdf
NTLJD3115PT1G Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | NTLJD3115PT1G |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-NTLJD3115PT1G |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | - |
| NTLJD3115PT1G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Active |
| FET-Typ | 2 P-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 2.3A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 2A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 6.2nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 531pF @ 10V |
| Leistung max | 710mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / fall | 6-WDFN Exposed Pad |
| Supplier Device Package | 6-WDFN (2x2) |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| NTLJD3115PT1G Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | NTLJD3115PT1G-FT |
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