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ON Semiconductor NTLJD3182FZTBG

Name: NTLJD3182FZTBG
Brand: ON Semiconductor
SKU: NTLJD3182FZTBG
Availability: InStock
Rating: 4.6 (783 reviews)

MFG-Teilenummer: NTLJD3182FZTBG

verfügbare Anzahl: 25850 Stücke

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Hersteller: ON Semiconductor

Kurze Beschreibung: - MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-WDFN

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: NTLJD3182FZTBG.pdf

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NTLJD3182FZTBG Spezifikationen

Herstellerteilenummer	NTLJD3182FZTBG
Zukünftige Teilenummer	FT-NTLJD3182FZTBG
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
NTLJD3182FZTBG Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	2.2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	7.8nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	450pF @ 10V
FET-Funktion	Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.)	710mW (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	6-WDFN (2x2)
Paket / fall	6-WDFN Exposed Pad
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NTLJD3182FZTBG Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	NTLJD3182FZTBG-FT

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