Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / NTLJS3A18PZTWG
Herstellerteilenummer | NTLJS3A18PZTWG |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NTLJS3A18PZTWG |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NTLJS3A18PZTWG Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 5A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 7A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 28nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2240pF @ 15V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 700mW (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | 6-WDFN (2x2) |
Paket / fall | 6-WDFN Exposed Pad |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTLJS3A18PZTWG Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NTLJS3A18PZTWG-FT |
NTMS4807NR2G
ON Semiconductor
FDS8449-F085P
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MMDF3N02HDR2
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A1020B-2VQ80I
Microsemi Corporation
XC7A50T-3FGG484E
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5SGXMB6R2F40I2N
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5SGSMD3E3H29C2N
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XC5VLX110-3FFG1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-1FTG256C
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LCMXO2-4000HE-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31I5N
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