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ON Semiconductor NTMD6601NR2G
- MFG-Teilenummer
- NTMD6601NR2G
- verfügbare Anzahl
- 74550 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0
- Unser Preis
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- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- ON Semiconductor
- Kurze Beschreibung
- - MOSFET 2N-CH 80V 1.1A 8SOIC
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- NTMD6601NR2G.pdf
NTMD6601NR2G Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | NTMD6601NR2G |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-NTMD6601NR2G |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | - |
| NTMD6601NR2G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Obsolete |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 80V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 1.1A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 215 mOhm @ 2.2A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 400pF @ 25V |
| Leistung max | 600mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| NTMD6601NR2G Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | NTMD6601NR2G-FT |
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