Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / NTMFS4C028NT1G
Herstellerteilenummer | NTMFS4C028NT1G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NTMFS4C028NT1G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NTMFS4C028NT1G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 16.4A (Ta), 52A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.73 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 22.2nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1252pF @ 15V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 2.51W (Ta), 25.5W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
Paket / fall | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTMFS4C028NT1G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NTMFS4C028NT1G-FT |
IPD60R145CFD7ATMA1
Infineon Technologies
IPD60R210CFD7ATMA1
Infineon Technologies
IPL60R060CFD7AUMA1
Infineon Technologies
IPL60R095CFD7AUMA1
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IPL60R115CFD7AUMA1
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IPL60R140CFD7AUMA1
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IPP60R105CFD7XKSA1
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IPP60R145CFD7XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R210CFD7XKSA1
Infineon Technologies
EX128-TQ100
Microsemi Corporation
XC3S50A-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ256
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-VQG100M
Microsemi Corporation
EP1SGX10CF672C7N
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10AX016C3U19I2LG
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10CL025ZE144I8G
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5SGXEA7H3F35I4
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EP3SE50F780I3
Intel