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ON Semiconductor NTMFS4H013NFT1G
- MFG-Teilenummer
- NTMFS4H013NFT1G
- verfügbare Anzahl
- 25260 Stücke
- Referenzpreis
- USD 1.0208
- Unser Preis
- Wir haben einen großen Rabatt, bitte kontaktieren Sie uns
- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- ON Semiconductor
- Kurze Beschreibung
- - MOSFET N-CH 25V 35A SO8FL
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- NTMFS4H013NFT1G.pdf
NTMFS4H013NFT1G Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | NTMFS4H013NFT1G |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-NTMFS4H013NFT1G |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | - |
| NTMFS4H013NFT1G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Active |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 25V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 43A (Ta), 269A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.9 mOhm @ 30A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 56nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3923pF @ 12V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 2.7W (Ta), 104W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Supplier Device Package | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Paket / fall | 8-PowerTDFN |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| NTMFS4H013NFT1G Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | NTMFS4H013NFT1G-FT |
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