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ON Semiconductor NTMFS4H02NFT1G

Name: NTMFS4H02NFT1G
Brand: ON Semiconductor
SKU: NTMFS4H02NFT1G
Price: 1.7864 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (689 reviews)

MFG-Teilenummer: NTMFS4H02NFT1G

verfügbare Anzahl: 80630 Stücke

Referenzpreis: USD 1.7864

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Hersteller: ON Semiconductor

Kurze Beschreibung: - MOSFET N-CH 25V 37A SO8FL

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: NTMFS4H02NFT1G.pdf

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NTMFS4H02NFT1G Spezifikationen

Herstellerteilenummer	NTMFS4H02NFT1G
Zukünftige Teilenummer	FT-NTMFS4H02NFT1G
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
NTMFS4H02NFT1G Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	25V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	37A (Ta), 193A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.4 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	40.9nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2652pF @ 12V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	3.13W (Ta), 83W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paket / fall	8-PowerTDFN
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NTMFS4H02NFT1G Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	NTMFS4H02NFT1G-FT

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