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ON Semiconductor NTMS4N01R2G

MFG-Teilenummer
NTMS4N01R2G
verfügbare Anzahl
83680 Stücke
Referenzpreis
USD 0
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
- MOSFET N-CH 20V 3.3A 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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NTMS4N01R2G Spezifikationen

Herstellerteilenummer NTMS4N01R2G
Zukünftige Teilenummer FT-NTMS4N01R2G
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
NTMS4N01R2G Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 3.3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40 mOhm @ 4.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1200pF @ 10V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 770mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package 8-SOIC
Paket / fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NTMS4N01R2G Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer NTMS4N01R2G-FT

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