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ON Semiconductor NTMS5835NLR2G
- MFG-Teilenummer
- NTMS5835NLR2G
- verfügbare Anzahl
- 49410 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0
- Unser Preis
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- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- ON Semiconductor
- Kurze Beschreibung
- - MOSFET N-CH 40V 9.2A 8SOIC
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- NTMS5835NLR2G.pdf
NTMS5835NLR2G Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | NTMS5835NLR2G |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-NTMS5835NLR2G |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | - |
| NTMS5835NLR2G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Obsolete |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 9.2A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2115pF @ 20V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 1.5W (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Paket / fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| NTMS5835NLR2G Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | NTMS5835NLR2G-FT |
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