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ON Semiconductor NTMSD3P303R2G
- MFG-Teilenummer
- NTMSD3P303R2G
- verfügbare Anzahl
- 15110 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0
- Unser Preis
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- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- ON Semiconductor
- Kurze Beschreibung
- FETKY™ MOSFET P-CH 30V 2.34A 8-SOIC
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- NTMSD3P303R2G.pdf
NTMSD3P303R2G Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | NTMSD3P303R2G |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-NTMSD3P303R2G |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | FETKY™ |
| NTMSD3P303R2G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Obsolete |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 2.34A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85 mOhm @ 3.05A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 750pF @ 24V |
| FET-Funktion | Schottky Diode (Isolated) |
| Verlustleistung (max.) | 730mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Paket / fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| NTMSD3P303R2G Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | NTMSD3P303R2G-FT |
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