Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / NTTFS6H850NTAG
Herstellerteilenummer | NTTFS6H850NTAG |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NTTFS6H850NTAG |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NTTFS6H850NTAG Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 80V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 11A (Ta), 68A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 70µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1140pF @ 40V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 3.2W (Ta), 107W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | 8-WDFN (3.3x3.3) |
Paket / fall | 8-PowerWDFN |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTTFS6H850NTAG Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NTTFS6H850NTAG-FT |
NTGS3441T1
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