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ON Semiconductor NVC6S5A354PLZT1G

Name: NVC6S5A354PLZT1G
Brand: ON Semiconductor
SKU: NVC6S5A354PLZT1G
Price: 0.210632 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (355 reviews)

MFG-Teilenummer: NVC6S5A354PLZT1G

verfügbare Anzahl: 99530 Stücke

Referenzpreis: USD 0.210632

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Hersteller: ON Semiconductor

Kurze Beschreibung: - MOSFET P-CHANNEL 60V 4A 6-CPH

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: NVC6S5A354PLZT1G.pdf

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NVC6S5A354PLZT1G Spezifikationen

Herstellerteilenummer	NVC6S5A354PLZT1G
Zukünftige Teilenummer	FT-NVC6S5A354PLZT1G
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
NVC6S5A354PLZT1G Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	4A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.6V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	14nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	600pF @ 20V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	1.9W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	6-CPH
Paket / fall	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NVC6S5A354PLZT1G Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	NVC6S5A354PLZT1G-FT

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