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ON Semiconductor NVD5863NLT4G

MFG-Teilenummer
NVD5863NLT4G
verfügbare Anzahl
78590 Stücke
Referenzpreis
USD 0
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Versanddatum
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Hersteller
ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
- MOSFET N-CH 60V 14.9A DPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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NVD5863NLT4G Spezifikationen

Herstellerteilenummer NVD5863NLT4G
Zukünftige Teilenummer FT-NVD5863NLT4G
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Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
NVD5863NLT4G Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 14.9A (Ta), 82A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.1 mOhm @ 41A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 70nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3850pF @ 25V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.1W (Ta), 96W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package DPAK
Paket / fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NVD5863NLT4G Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer NVD5863NLT4G-FT

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