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ON Semiconductor NVD5867NLT4G-TB01

Name: NVD5867NLT4G-TB01
Brand: ON Semiconductor
SKU: NVD5867NLT4G-TB01
Availability: InStock
Rating: 4.9 (273 reviews)

MFG-Teilenummer: NVD5867NLT4G-TB01

verfügbare Anzahl: 83930 Stücke

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Hersteller: ON Semiconductor

Kurze Beschreibung: Automotive, AEC-Q101 MOSFET N-CH 60V 22A DPAK DPAK

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: NVD5867NLT4G-TB01.pdf

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NVD5867NLT4G-TB01 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	NVD5867NLT4G-TB01
Zukünftige Teilenummer	FT-NVD5867NLT4G-TB01
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	Automotive, AEC-Q101
NVD5867NLT4G-TB01 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	6A (Ta), 22A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	39 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	675pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	3.3W (Ta), 43W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	DPAK-3
Paket / fall	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NVD5867NLT4G-TB01 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	NVD5867NLT4G-TB01-FT

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