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ON Semiconductor NVD5867NLT4G

Name: NVD5867NLT4G
Brand: ON Semiconductor
SKU: NVD5867NLT4G
Availability: InStock
Rating: 4.8 (430 reviews)

MFG-Teilenummer: NVD5867NLT4G

verfügbare Anzahl: 72730 Stücke

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Hersteller: ON Semiconductor

Kurze Beschreibung: Automotive, AEC-Q101 MOSFET N-CH 60V DPAK

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: NVD5867NLT4G.pdf

NVD5867NLT4G Spezifikationen

Herstellerteilenummer	NVD5867NLT4G
Zukünftige Teilenummer	FT-NVD5867NLT4G
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	Automotive, AEC-Q101
NVD5867NLT4G Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	6A (Ta), 22A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	39 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	675pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	3.3W (Ta), 43W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	DPAK-3
Paket / fall	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NVD5867NLT4G Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	NVD5867NLT4G-FT

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