Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / NVD6416ANLT4G-001
Herstellerteilenummer | NVD6416ANLT4G-001 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NVD6416ANLT4G-001 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NVD6416ANLT4G-001 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 19A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 74 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1000pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 71W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | DPAK-3 |
Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NVD6416ANLT4G-001 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NVD6416ANLT4G-001-FT |
NDS356AP-NB8L005A
ON Semiconductor
NDT02N60ZT1G
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Microsemi Corporation
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