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ON Semiconductor NVGS3130NT1G
- MFG-Teilenummer
- NVGS3130NT1G
- verfügbare Anzahl
- 91060 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0.4174
- Unser Preis
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- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- ON Semiconductor
- Kurze Beschreibung
- - MOSFET N-CH 20V 4.2A 6TSOP
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- NVGS3130NT1G.pdf
NVGS3130NT1G Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | NVGS3130NT1G |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-NVGS3130NT1G |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | - |
| NVGS3130NT1G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Active |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 4.2A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24 mOhm @ 5.6A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 20.3nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 935pF @ 16V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 600mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Paket / fall | SOT-23-6 |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| NVGS3130NT1G Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | NVGS3130NT1G-FT |
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