Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / NVMFS5C468NLWFT3G
Herstellerteilenummer | NVMFS5C468NLWFT3G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NVMFS5C468NLWFT3G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NVMFS5C468NLWFT3G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Discontinued at Future Semiconductor |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.3 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 7.3nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 570pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 3.5W (Ta), 28W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
Paket / fall | 8-PowerTDFN |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NVMFS5C468NLWFT3G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NVMFS5C468NLWFT3G-FT |
NVMFS5832NLWFT1G
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NVMFS5832NLWFT3G
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NVMFS5833NT1G
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