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ON Semiconductor NVMFS5C612NLWFAFT1G

Name: NVMFS5C612NLWFAFT1G
Brand: ON Semiconductor
SKU: NVMFS5C612NLWFAFT1G
Price: 1.098376 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (665 reviews)

MFG-Teilenummer: NVMFS5C612NLWFAFT1G

verfügbare Anzahl: 13980 Stücke

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Hersteller: ON Semiconductor

Kurze Beschreibung: Automotive, AEC-Q101 MOSFET N-CH 60V 38A 250A 5DFN

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: NVMFS5C612NLWFAFT1G.pdf

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NVMFS5C612NLWFAFT1G Spezifikationen

Herstellerteilenummer	NVMFS5C612NLWFAFT1G
Zukünftige Teilenummer	FT-NVMFS5C612NLWFAFT1G
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	Automotive, AEC-Q101
NVMFS5C612NLWFAFT1G Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	38A (Ta), 250A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.36 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	91nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	6660pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	3.8W (Ta), 167W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paket / fall	8-PowerTDFN, 5 Leads
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NVMFS5C612NLWFAFT1G Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	NVMFS5C612NLWFAFT1G-FT

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