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ON Semiconductor NVMFS6B85NLT1G

MFG-Teilenummer
NVMFS6B85NLT1G
verfügbare Anzahl
34040 Stücke
Referenzpreis
USD 0
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
Automotive, AEC-Q101 MOSFET N-CH 100V 5.6A 19A 5DFN
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
NVMFS6B85NLT1G.pdf
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NVMFS6B85NLT1G Spezifikationen

Herstellerteilenummer NVMFS6B85NLT1G
Zukünftige Teilenummer FT-NVMFS6B85NLT1G
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie Automotive, AEC-Q101
NVMFS6B85NLT1G Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 5.6A (Ta), 19A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 46 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 7.9nC @ 10V
Vgs (Max) ±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 480pF @ 25V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.5W (Ta), 42W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paket / fall 8-PowerTDFN, 5 Leads
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NVMFS6B85NLT1G Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer NVMFS6B85NLT1G-FT

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