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ON Semiconductor NVMFS6B85NLWFT1G

Name: NVMFS6B85NLWFT1G
Brand: ON Semiconductor
SKU: NVMFS6B85NLWFT1G
Availability: InStock
Rating: 4.8 (152 reviews)

MFG-Teilenummer: NVMFS6B85NLWFT1G

verfügbare Anzahl: 81070 Stücke

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Hersteller: ON Semiconductor

Kurze Beschreibung: Automotive, AEC-Q101 MOSFET N-CH 100V 5.6A 19A 5DFN

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: NVMFS6B85NLWFT1G.pdf

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NVMFS6B85NLWFT1G Spezifikationen

Herstellerteilenummer	NVMFS6B85NLWFT1G
Zukünftige Teilenummer	FT-NVMFS6B85NLWFT1G
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	Automotive, AEC-Q101
NVMFS6B85NLWFT1G Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	5.6A (Ta), 19A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	46 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	7.9nC @ 10V
Vgs (Max)	±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	480pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	3.5W (Ta), 42W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paket / fall	8-PowerTDFN, 5 Leads
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NVMFS6B85NLWFT1G Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	NVMFS6B85NLWFT1G-FT

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