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ON Semiconductor NVMFS6H801NT1G

MFG-Teilenummer
NVMFS6H801NT1G
verfügbare Anzahl
58750 Stücke
Referenzpreis
USD 0.770832
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
Automotive, AEC-Q101 TRENCH 8 80V NFET
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
NVMFS6H801NT1G.pdf
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NVMFS6H801NT1G Spezifikationen

Herstellerteilenummer NVMFS6H801NT1G
Zukünftige Teilenummer FT-NVMFS6H801NT1G
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie Automotive, AEC-Q101
NVMFS6H801NT1G Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 23A (Ta), 157A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.8 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 64nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4120pF @ 40V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.8W (Ta), 166W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paket / fall 8-PowerTDFN, 5 Leads
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NVMFS6H801NT1G Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer NVMFS6H801NT1G-FT

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