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ON Semiconductor NVMFSW6D1N08HT1G

Name: NVMFSW6D1N08HT1G
Brand: ON Semiconductor
SKU: NVMFSW6D1N08HT1G
Price: 0.595056 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (368 reviews)

MFG-Teilenummer: NVMFSW6D1N08HT1G

verfügbare Anzahl: 64020 Stücke

Referenzpreis: USD 0.595056

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Hersteller: ON Semiconductor

Kurze Beschreibung: Automotive, AEC-Q101 T8 80V 1 PART PROLIFERATI

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: NVMFSW6D1N08HT1G.pdf

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NVMFSW6D1N08HT1G Spezifikationen

Herstellerteilenummer	NVMFSW6D1N08HT1G
Zukünftige Teilenummer	FT-NVMFSW6D1N08HT1G
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	Automotive, AEC-Q101
NVMFSW6D1N08HT1G Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	80V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	17A (Ta), 89A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 120µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	32nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2085pF @ 40V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	3.8W (Ta), 104W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paket / fall	8-PowerTDFN, 5 Leads
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NVMFSW6D1N08HT1G Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	NVMFSW6D1N08HT1G-FT

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