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ON Semiconductor NVMFSW6D1N08HT1G
- MFG-Teilenummer
- NVMFSW6D1N08HT1G
- verfügbare Anzahl
- 64020 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0.595056
- Unser Preis
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- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- ON Semiconductor
- Kurze Beschreibung
- Automotive, AEC-Q101 T8 80V 1 PART PROLIFERATI
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- NVMFSW6D1N08HT1G.pdf
NVMFSW6D1N08HT1G Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | NVMFSW6D1N08HT1G |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-NVMFSW6D1N08HT1G |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| NVMFSW6D1N08HT1G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Active |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 80V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 17A (Ta), 89A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5 mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 120µA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2085pF @ 40V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 3.8W (Ta), 104W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Supplier Device Package | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Paket / fall | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| NVMFSW6D1N08HT1G Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | NVMFSW6D1N08HT1G-FT |
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