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ON Semiconductor NVMSD6N303R2G

MFG-Teilenummer
NVMSD6N303R2G
verfügbare Anzahl
99850 Stücke
Referenzpreis
USD 0
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
- MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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NVMSD6N303R2G Spezifikationen

Herstellerteilenummer NVMSD6N303R2G
Zukünftige Teilenummer FT-NVMSD6N303R2G
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
NVMSD6N303R2G Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 6A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 32 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
Vgs (Max) -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 950pF @ 24V
FET-Funktion Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.) -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package 8-SOIC
Paket / fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NVMSD6N303R2G Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer NVMSD6N303R2G-FT

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