Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / NX7002BKMBYL
Herstellerteilenummer | NX7002BKMBYL |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-NX7002BKMBYL |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TrenchMOS™ |
NX7002BKMBYL Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 350mA (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8 Ohm @ 200mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 1nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 23.6pF @ 10V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 350mW (Ta), 3.1W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | DFN1006B-3 |
Paket / fall | 3-XFDFN |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NX7002BKMBYL Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NX7002BKMBYL-FT |
SI4410DY,518
NXP USA Inc.
SI4420DY,518
NXP USA Inc.
SI4800,518
NXP USA Inc.
SI9410DY,518
NXP USA Inc.
PHU101NQ03LT,127
NXP USA Inc.
PHU108NQ03LT,127
NXP USA Inc.
PHU11NQ10T,127
NXP USA Inc.
PHU66NQ03LT,127
NXP USA Inc.
PHU77NQ03T,127
NXP USA Inc.
PHU78NQ03LT,127
NXP USA Inc.