Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / NXPSC08650Q
Herstellerteilenummer | NXPSC08650Q |
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Zukünftige Teilenummer | FT-NXPSC08650Q |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
NXPSC08650Q Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Discontinued at Future Semiconductor |
Diodentyp | Silicon Carbide Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 650V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 8A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 8A |
Geschwindigkeit | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 0ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 230µA @ 650V |
Kapazität @ Vr, F | 260pF @ 1V, 1MHz |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-220-2 |
Supplier Device Package | TO-220AC |
Betriebstemperatur - Übergang | 175°C (Max) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NXPSC08650Q Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | NXPSC08650Q-FT |
CD214B-F2100
Bourns Inc.
CD214B-F2150
Bourns Inc.
CD214B-F2200
Bourns Inc.
CD214B-F2400
Bourns Inc.
CD214B-F250
Bourns Inc.
CD214B-F2600
Bourns Inc.
CD214B-F3100
Bourns Inc.
CD214B-F3150
Bourns Inc.
CD214B-F3200
Bourns Inc.
CD214B-F3400
Bourns Inc.
XCS40XL-5PQG208C
Xilinx Inc.
XC7A15T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE3000-FG484
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-1VQ100M
Microsemi Corporation
5SGSMD4K3F40I3N
Intel
5SGSED6N2F45C2N
Intel
EP2SGX90EF1152C3ES
Intel
LFE2M100SE-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB7D4F35C4N
Intel