Zuhause / Produkte / Sicherung / TVS - Dioden / P6KE350-G
Herstellerteilenummer | P6KE350-G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-P6KE350-G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
P6KE350-G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Art | Zener |
Unidirektionale Kanäle | 1 |
Bidirektionale Kanäle | - |
Spannung - Reverse Standoff (Typ) | 284.2V |
Spannung - Durchschlag (min.) | 315V |
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp | 504V |
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs) | 1.19A |
Leistung - Spitzenimpuls | 600W |
Stromleitungsschutz | No |
Anwendungen | General Purpose |
Kapazität bei Frequenz | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | DO-204AC, DO-15, Axial |
Supplier Device Package | DO-15 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
P6KE350-G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | P6KE350-G-FT |
1.5KE6.8A-T-F
Diodes Incorporated
1.5KE7.5CA-T-F
Diodes Incorporated
1.5KE7V5CA-T
Diodes Incorporated
P6KE33A-G
Comchip Technology
P6KE6.8A-G
Comchip Technology
P6KE100A-G
Comchip Technology
P6KE10A-G
Comchip Technology
P6KE10CA-G
Comchip Technology
P6KE110A-G
Comchip Technology
P6KE11A-HF
Comchip Technology
XC3S400-4PQ208I
Xilinx Inc.
XC4013E-4PQ208I
Xilinx Inc.
XA7S50-1FGGA484I
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG484
Microsemi Corporation
5SGXEBBR3H43C2L
Intel
XC7A200T-2FFG1156C
Xilinx Inc.
LFE3-95E-8FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70E-7FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-640HC-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016E3F27I1SG
Intel