Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays / PBSS5130PAP,115
Herstellerteilenummer | PBSS5130PAP,115 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-PBSS5130PAP,115 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
PBSS5130PAP,115 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | 2 PNP (Dual) |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 1A |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 30V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 280mV @ 50mA, 1A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 170 @ 500mA, 2V |
Leistung max | 510mW |
Frequenz - Übergang | 125MHz |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 6-UDFN Exposed Pad |
Supplier Device Package | 6-HUSON-EP (2x2) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PBSS5130PAP,115 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | PBSS5130PAP,115-FT |
BC847BDW1T3G
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BC847BPDW1T3G
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