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Herstellerteilenummer | PD20010S-E |
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Zukünftige Teilenummer | FT-PD20010S-E |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
PD20010S-E Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | LDMOS |
Frequenz | 2GHz |
Gewinnen | 11dB |
Spannungs - Test | 13.6V |
Aktuelle Bewertung | 5A |
Rauschzahl | - |
Aktueller Test | 150mA |
Leistung | 10W |
Spannung - bewertet | 40V |
Paket / fall | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads) |
Supplier Device Package | PowerSO-10RF (Straight Lead) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PD20010S-E Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | PD20010S-E-FT |
ATF-58143-TR1G
Broadcom Limited
ATF-58143-TR2G
Broadcom Limited
BF1100WR,115
NXP USA Inc.
BF1101WR,115
NXP USA Inc.
BF1101WR,135
NXP USA Inc.
BF1105WR,115
NXP USA Inc.
BF1105WR,135
NXP USA Inc.
BF1109WR,115
NXP USA Inc.
BF1201WR,115
NXP USA Inc.
BF1201WR,135
NXP USA Inc.
XC6SLX4-L1TQG144C
Xilinx Inc.
XC4044XL-09HQ304C
Xilinx Inc.
AGLN030V5-ZCSG81
Microsemi Corporation
EPF8282ATI100-3NGZ
Intel
EP2C15AF484C8N
Intel
EP3C16U256C7
Intel
EP3SL340F1517I3N
Intel
XC7A25T-L2CPG238E
Xilinx Inc.
A3P060-1FGG144T
Microsemi Corporation
EP1S80B956C7
Intel