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Herstellerteilenummer | PD20010S-E |
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Zukünftige Teilenummer | FT-PD20010S-E |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
PD20010S-E Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | LDMOS |
Frequenz | 2GHz |
Gewinnen | 11dB |
Spannungs - Test | 13.6V |
Aktuelle Bewertung | 5A |
Rauschzahl | - |
Aktueller Test | 150mA |
Leistung | 10W |
Spannung - bewertet | 40V |
Paket / fall | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads) |
Supplier Device Package | PowerSO-10RF (Straight Lead) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PD20010S-E Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | PD20010S-E-FT |
ATF-58143-TR1G
Broadcom Limited
ATF-58143-TR2G
Broadcom Limited
BF1100WR,115
NXP USA Inc.
BF1101WR,115
NXP USA Inc.
BF1101WR,135
NXP USA Inc.
BF1105WR,115
NXP USA Inc.
BF1105WR,135
NXP USA Inc.
BF1109WR,115
NXP USA Inc.
BF1201WR,115
NXP USA Inc.
BF1201WR,135
NXP USA Inc.
EX256-PTQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX150-2CSG484I
Xilinx Inc.
XA7S50-2FGGA484I
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
M2GL005S-1VFG256
Microsemi Corporation
AT40K10AL-1DQC
Microchip Technology
EP4S100G2F40I2
Intel
XC2VP7-5FF896I
Xilinx Inc.
A54SX16A-1TQG100I
Microsemi Corporation
EP2AGX190EF29I3N
Intel