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Herstellerteilenummer | PD20010STR-E |
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Zukünftige Teilenummer | FT-PD20010STR-E |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
PD20010STR-E Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | LDMOS |
Frequenz | 2GHz |
Gewinnen | 11dB |
Spannungs - Test | 13.6V |
Aktuelle Bewertung | 5A |
Rauschzahl | - |
Aktueller Test | 150mA |
Leistung | 10W |
Spannung - bewertet | 40V |
Paket / fall | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads) |
Supplier Device Package | PowerSO-10RF (Straight Lead) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PD20010STR-E Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | PD20010STR-E-FT |
ATF-58143-TR2G
Broadcom Limited
BF1100WR,115
NXP USA Inc.
BF1101WR,115
NXP USA Inc.
BF1101WR,135
NXP USA Inc.
BF1105WR,115
NXP USA Inc.
BF1105WR,135
NXP USA Inc.
BF1109WR,115
NXP USA Inc.
BF1201WR,115
NXP USA Inc.
BF1201WR,135
NXP USA Inc.
BF1202WR,115
NXP USA Inc.
A3P400-FGG484
Microsemi Corporation
M1A3PE3000-PQG208I
Microsemi Corporation
LFE5UM-45F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX022C4U19I3LG
Intel
EP3SE80F1152C2
Intel
XC3090L-8PC84I
Xilinx Inc.
XC4VLX100-10FFG1513C
Xilinx Inc.
A40MX02-3PQ100I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000ZE-1FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX150DF31C8
Intel