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Herstellerteilenummer | PD20015S-E |
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Zukünftige Teilenummer | FT-PD20015S-E |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
PD20015S-E Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | LDMOS |
Frequenz | 2GHz |
Gewinnen | 11dB |
Spannungs - Test | 13.6V |
Aktuelle Bewertung | 7A |
Rauschzahl | - |
Aktueller Test | 350mA |
Leistung | 15W |
Spannung - bewertet | 40V |
Paket / fall | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad |
Supplier Device Package | PowerSO-10RF (Straight Lead) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PD20015S-E Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | PD20015S-E-FT |
BF1100WR,115
NXP USA Inc.
BF1101WR,115
NXP USA Inc.
BF1101WR,135
NXP USA Inc.
BF1105WR,115
NXP USA Inc.
BF1105WR,135
NXP USA Inc.
BF1109WR,115
NXP USA Inc.
BF1201WR,115
NXP USA Inc.
BF1201WR,135
NXP USA Inc.
BF1202WR,115
NXP USA Inc.
BF1202WR,135
NXP USA Inc.
XC6SLX100-N3FGG676I
Xilinx Inc.
XC7S6-1FTGB196I
Xilinx Inc.
A54SX72A-FG256A
Microsemi Corporation
A42MX16-1VQ100M
Microsemi Corporation
10M40DCF256C8G
Intel
5SGXEA3K1F40C2N
Intel
5SGXEB9R2H43C3N
Intel
EP3SL200F1152I4L
Intel
XC7VX485T-1FFG1930I
Xilinx Inc.
EPF81500ARI240-3
Intel