Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / PDTA114YMB,315
Herstellerteilenummer | PDTA114YMB,315 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-PDTA114YMB,315 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
PDTA114YMB,315 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | PNP - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 10 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 100 @ 5mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 100mV @ 250µA, 5mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1µA |
Frequenz - Übergang | 180MHz |
Leistung max | 250mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 3-XFDFN |
Supplier Device Package | DFN1006B-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PDTA114YMB,315 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | PDTA114YMB,315-FT |
NSVDTC143ZM3T5G
ON Semiconductor
NSVDTC144EM3T5G
ON Semiconductor
NSVDTA114YM3T5G
ON Semiconductor
NSVDTA123EM3T5G
ON Semiconductor
NSVDTC114YM3T5G
ON Semiconductor
NSVDTC144TM3T5G
ON Semiconductor
NSB9435T1G
ON Semiconductor
NSV9435T1G
ON Semiconductor
PDTA113EM,315
Nexperia USA Inc.
PDTA113ZM,315
Nexperia USA Inc.
EP1C3T144C7N
Intel
XC2VP70-5FF1517C
Xilinx Inc.
EP3SE50F484C3N
Intel
EP3CLS70F484I7N
Intel
5SGXEA5N2F45C2N
Intel
XC6VLX75T-L1FFG784C
Xilinx Inc.
A42MX24-TQG176M
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG184I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB5D4F35I5N
Intel
EP20K300EBC652-2X
Intel