Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / PDTA123EM,315
Herstellerteilenummer | PDTA123EM,315 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-PDTA123EM,315 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
PDTA123EM,315 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | PNP - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 2.2 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 2.2 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 30 @ 20mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1µA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 250mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SC-101, SOT-883 |
Supplier Device Package | DFN1006-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PDTA123EM,315 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | PDTA123EM,315-FT |
MUN5131T1
ON Semiconductor
MUN5135T1
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MUN5136T1
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MUN5137T1
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MUN5234T1
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XCV300E-7FG456C
Xilinx Inc.
A3P600-2FGG484
Microsemi Corporation
EP4CGX50CF23C8
Intel
5SGSMD4E1H29C1N
Intel
10CL006YE144I7G
Intel
5SGXMA7N3F45I3N
Intel
A1020B-2PLG44C
Microsemi Corporation
LFE2-50SE-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000ZE-3BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-5MG132I
Lattice Semiconductor Corporation