Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / PDTA123EM,315
Herstellerteilenummer | PDTA123EM,315 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-PDTA123EM,315 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
PDTA123EM,315 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | PNP - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 2.2 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 2.2 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 30 @ 20mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1µA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 250mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SC-101, SOT-883 |
Supplier Device Package | DFN1006-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PDTA123EM,315 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | PDTA123EM,315-FT |
MUN5131T1
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MUN5135T1
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5SGXMA3K3F35C2LN
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Xilinx Inc.