Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / PDTA123JMB,315
Herstellerteilenummer | PDTA123JMB,315 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-PDTA123JMB,315 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
PDTA123JMB,315 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | PNP - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 2.2 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 100 @ 10mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 100mV @ 250µA, 5mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1µA |
Frequenz - Übergang | 180MHz |
Leistung max | 250mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 3-XFDFN |
Supplier Device Package | DFN1006B-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PDTA123JMB,315 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | PDTA123JMB,315-FT |
NSVDTC114YM3T5G
ON Semiconductor
NSVDTC144TM3T5G
ON Semiconductor
NSB9435T1G
ON Semiconductor
NSV9435T1G
ON Semiconductor
PDTA113EM,315
Nexperia USA Inc.
PDTA113ZM,315
Nexperia USA Inc.
PDTA114EM,315
Nexperia USA Inc.
PDTA114TM,315
Nexperia USA Inc.
PDTA114YM,315
Nexperia USA Inc.
PDTA115EM,315
Nexperia USA Inc.
XCS30-3TQ144I
Xilinx Inc.
EX256-FTQG100
Microsemi Corporation
XC4003E-2VQ100C
Xilinx Inc.
A54SX16A-FG144
Microsemi Corporation
5SGXMA4K1F35C2LN
Intel
XC7VX980T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
XC6VHX565T-1FFG1924I
Xilinx Inc.
10AX066H2F34I2LG
Intel
EP4CE75F29C6N
Intel
EP4SGX230FF35I4
Intel