Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / PDTA123YM,315
Herstellerteilenummer | PDTA123YM,315 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-PDTA123YM,315 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
PDTA123YM,315 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | PNP - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 2.2 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 10 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 35 @ 5mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1µA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 250mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SC-101, SOT-883 |
Supplier Device Package | DFN1006-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PDTA123YM,315 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | PDTA123YM,315-FT |
MUN5137T1
ON Semiconductor
MUN5214T1
ON Semiconductor
MUN5215T1
ON Semiconductor
MUN5216T1
ON Semiconductor
MUN5231T1
ON Semiconductor
MUN5232T1
ON Semiconductor
MUN5234T1
ON Semiconductor
MUN5235T1
ON Semiconductor
MUN5236T1
ON Semiconductor
MUN5237T1
ON Semiconductor
A42MX36-3BG272
Microsemi Corporation
AFS1500-1FG484I
Microsemi Corporation
EP1K10TC100-2
Intel
XC7V585T-1FFG1761I
Xilinx Inc.
XC7K325T-2FB676I
Xilinx Inc.
APA600-FGG676I
Microsemi Corporation
LFE2M20E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO256C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016E4F29E3SG
Intel