Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / PDTB113EK,115
Herstellerteilenummer | PDTB113EK,115 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-PDTB113EK,115 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
PDTB113EK,115 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | PNP - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 500mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 1 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 1 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 33 @ 50mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 250mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Supplier Device Package | SMT3; MPAK |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PDTB113EK,115 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | PDTB113EK,115-FT |
BCR148E6393HTSA1
Infineon Technologies
BCR148E6433HTMA1
Infineon Technologies
BCR162E6327HTSA1
Infineon Technologies
BCR166B6327HTLA1
Infineon Technologies
BCR166E6327HTSA1
Infineon Technologies
BCR166E6433HTMA1
Infineon Technologies
BCR169E6327HTSA1
Infineon Technologies
BCR183E6359HTMA1
Infineon Technologies
BCR183E6433HTMA1
Infineon Technologies
BCR185E6327HTSA1
Infineon Technologies