Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / PDTB113ET,215
Herstellerteilenummer | PDTB113ET,215 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-PDTB113ET,215 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
PDTB113ET,215 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | PNP - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 500mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 1 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 1 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 33 @ 50mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 250mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Supplier Device Package | TO-236AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PDTB113ET,215 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | PDTB113ET,215-FT |
PDTB123EUF
Nexperia USA Inc.
PDTB123EUX
Nexperia USA Inc.
PDTB123YUF
Nexperia USA Inc.
PDTB123YUX
Nexperia USA Inc.
PDTB143EUF
Nexperia USA Inc.
PDTB143EUX
Nexperia USA Inc.
PDTB143XUF
Nexperia USA Inc.
PDTB143XUX
Nexperia USA Inc.
PDTC114EU,135
Nexperia USA Inc.
PDTC114YU,115
Nexperia USA Inc.
LFXP3E-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S500E-4FG320I
Xilinx Inc.
XA3S1200E-4FTG256Q
Xilinx Inc.
XCVU065-1FFVC1517I
Xilinx Inc.
A3PE600-2FGG484
Microsemi Corporation
LFE5UM5G-45F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20B672C6
Intel
5SGXEA9N2F45I2L
Intel
A40MX04-1PLG84I
Microsemi Corporation
LFXP2-17E-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation