Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / PDTB113EUF
Herstellerteilenummer | PDTB113EUF |
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Zukünftige Teilenummer | FT-PDTB113EUF |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
PDTB113EUF Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 500mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 1 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 1 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 33 @ 50mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 100mV @ 2.5mA, 50mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | 140MHz |
Leistung max | 300mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SC-70, SOT-323 |
Supplier Device Package | SC-70 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PDTB113EUF Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | PDTB113EUF-FT |
DDTB122LU-7
Diodes Incorporated
DDTB122TU-7
Diodes Incorporated
DDTB142JU-7
Diodes Incorporated
DDTC113TUA-7
Diodes Incorporated
DDTC113ZUA-7
Diodes Incorporated
DDTC114EUA-7
Diodes Incorporated
DDTC114GUA-7
Diodes Incorporated
DDTC114GUA-7-F
Diodes Incorporated
DDTC114TUA-7
Diodes Incorporated
DDTC114WUA-7
Diodes Incorporated
XC7A12T-L1CSG325I
Xilinx Inc.
AX250-1FG256M
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FG256I
Microsemi Corporation
EP2S60F672C4N
Intel
EP4SE820H40C3N
Intel
XC6VLX75T-L1FF784I
Xilinx Inc.
A40MX02-2PQ100I
Microsemi Corporation
LFE3-95EA-6LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6F23I7N
Intel
10AX016E4F29I3SG
Intel