Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / PDTB113ZT,215
Herstellerteilenummer | PDTB113ZT,215 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-PDTB113ZT,215 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
PDTB113ZT,215 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | PNP - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 500mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 1 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 10 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 70 @ 50mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 250mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Supplier Device Package | TO-236AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PDTB113ZT,215 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | PDTB113ZT,215-FT |
DDTA144ELP-7
Diodes Incorporated
DDTC114ELP-7
Diodes Incorporated
DDTA114YLP-7
Diodes Incorporated
DDTC144ELP-7
Diodes Incorporated
DDTC123JLP-7
Diodes Incorporated
DTC114EBT2L
Rohm Semiconductor
PDTA114TEF,115
NXP USA Inc.
PDTA143EEF,115
NXP USA Inc.
PDTA143ZEF,115
NXP USA Inc.
PDTC114TEF,115
NXP USA Inc.
A42MX36-3BG272
Microsemi Corporation
AFS1500-1FG484I
Microsemi Corporation
EP1K10TC100-2
Intel
XC7V585T-1FFG1761I
Xilinx Inc.
XC7K325T-2FB676I
Xilinx Inc.
APA600-FGG676I
Microsemi Corporation
LFE2M20E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO256C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016E4F29E3SG
Intel