Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / PDTB123ET,215
Herstellerteilenummer | PDTB123ET,215 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-PDTB123ET,215 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
PDTB123ET,215 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | PNP - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 500mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 2.2 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 2.2 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 40 @ 50mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 250mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Supplier Device Package | TO-236AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PDTB123ET,215 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | PDTB123ET,215-FT |
PDTB123YUF
Nexperia USA Inc.
PDTB123YUX
Nexperia USA Inc.
PDTB143EUF
Nexperia USA Inc.
PDTB143EUX
Nexperia USA Inc.
PDTB143XUF
Nexperia USA Inc.
PDTB143XUX
Nexperia USA Inc.
PDTC114EU,135
Nexperia USA Inc.
PDTC114YU,115
Nexperia USA Inc.
PDTC114YUF
Nexperia USA Inc.
PDTC115EU,115
Nexperia USA Inc.
EX64-TQG64I
Microsemi Corporation
XCVU080-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
A3PN030-Z2QNG48
Microsemi Corporation
A42MX36-1CQ256M
Microsemi Corporation
A3PN060-1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3SE50F484C4L
Intel
5SGXMB5R2F43C2LN
Intel
XCV50-5BG256I
Xilinx Inc.
APA150-TQ100
Microsemi Corporation
5AGXFA7H4F35C4N
Intel