Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / PDTB123YK,115
Herstellerteilenummer | PDTB123YK,115 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-PDTB123YK,115 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
PDTB123YK,115 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | PNP - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 500mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 2.2 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 10 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 70 @ 50mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 250mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Supplier Device Package | SMT3; MPAK |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PDTB123YK,115 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | PDTB123YK,115-FT |
BCR166E6327HTSA1
Infineon Technologies
BCR166E6433HTMA1
Infineon Technologies
BCR169E6327HTSA1
Infineon Technologies
BCR183E6359HTMA1
Infineon Technologies
BCR183E6433HTMA1
Infineon Technologies
BCR185E6327HTSA1
Infineon Technologies
BCR185E6433HTMA1
Infineon Technologies
BCR191E6327HTSA1
Infineon Technologies
BCR192E6327HTSA1
Infineon Technologies
BCR192E6785HTSA1
Infineon Technologies
A3P600L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA075-PQG208A
Microsemi Corporation
A42MX16-VQ100A
Microsemi Corporation
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Intel
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Xilinx Inc.
LFEC15E-4F484C
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LFE2M35E-5F672I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
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5SGSMD4H2F35C1N
Intel