Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / PDTB123YQAZ
Herstellerteilenummer | PDTB123YQAZ |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-PDTB123YQAZ |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
PDTB123YQAZ Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | PNP - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 500mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 2.2 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 10 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 70 @ 50mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 100mV @ 2.5mA, 50mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | 150MHz |
Leistung max | 325mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 3-XDFN Exposed Pad |
Supplier Device Package | DFN1010D-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PDTB123YQAZ Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | PDTB123YQAZ-FT |
PDTC144WM,315
Nexperia USA Inc.
PDTA113EE,115
NXP USA Inc.
PDTA113ZE,115
NXP USA Inc.
PDTA114EE,115
NXP USA Inc.
PDTA114TE,115
NXP USA Inc.
PDTA114YE,115
NXP USA Inc.
PDTA115EE,115
NXP USA Inc.
PDTA115TE,115
NXP USA Inc.
PDTA123EE,115
NXP USA Inc.
PDTA123JE,115
NXP USA Inc.
LCMXO2-1200HC-4TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO256C-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
AX500-FGG484
Microsemi Corporation
APA750-PQG208A
Microsemi Corporation
M2GL005S-1VFG400I
Microsemi Corporation
M1AGL250V2-VQG100I
Microsemi Corporation
AT40K10-2DQC
Microchip Technology
EP1S20B672C6
Intel
XC5VLX110-1FFG1760CES
Xilinx Inc.
10AX066K2F40I2LG
Intel