Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / PDTB143XQAZ
Herstellerteilenummer | PDTB143XQAZ |
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Zukünftige Teilenummer | FT-PDTB143XQAZ |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
PDTB143XQAZ Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | PNP - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 500mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 4.7 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 10 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 70 @ 50mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 100mV @ 2.5mA, 50mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | 150MHz |
Leistung max | 325mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 3-XDFN Exposed Pad |
Supplier Device Package | DFN1010D-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PDTB143XQAZ Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | PDTB143XQAZ-FT |
PDTA113ZE,115
NXP USA Inc.
PDTA114EE,115
NXP USA Inc.
PDTA114TE,115
NXP USA Inc.
PDTA114YE,115
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PDTA115EE,115
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PDTA115TE,115
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PDTA123EE,115
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PDTA123JE,115
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PDTA123TE,115
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PDTA123YE,115
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