Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / PDTC123JT,235
Herstellerteilenummer | PDTC123JT,235 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-PDTC123JT,235 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
PDTC123JT,235 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 2.2 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 100 @ 10mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 100mV @ 250µA, 5mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1µA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 250mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Supplier Device Package | TO-236AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PDTC123JT,235 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | PDTC123JT,235-FT |
DDTC114ELP-7
Diodes Incorporated
DDTA114YLP-7
Diodes Incorporated
DDTC144ELP-7
Diodes Incorporated
DDTC123JLP-7
Diodes Incorporated
DTC114EBT2L
Rohm Semiconductor
PDTA114TEF,115
NXP USA Inc.
PDTA143EEF,115
NXP USA Inc.
PDTA143ZEF,115
NXP USA Inc.
PDTC114TEF,115
NXP USA Inc.
PDTC114YEF,115
NXP USA Inc.
LCMXO2-7000HE-4TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K30ATC144-1N
Intel
5CGXFC4C6F27I7N
Intel
EP3SE260F1517C2
Intel
EP2AGX65DF25C6N
Intel
5SGXMB5R3F43C2N
Intel
5SGXMA5K3F35C2LN
Intel
XC6VLX240T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
A42MX24-1PLG84
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation