Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / PDTC124EQAZ
Herstellerteilenummer | PDTC124EQAZ |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-PDTC124EQAZ |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
PDTC124EQAZ Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 22 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 22 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 60 @ 5mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1µA |
Frequenz - Übergang | 230MHz |
Leistung max | 280mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 3-XDFN Exposed Pad |
Supplier Device Package | DFN1010D-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PDTC124EQAZ Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | PDTC124EQAZ-FT |
PDTA115EE,115
NXP USA Inc.
PDTA115TE,115
NXP USA Inc.
PDTA123EE,115
NXP USA Inc.
PDTA123JE,115
NXP USA Inc.
PDTA123TE,115
NXP USA Inc.
PDTA123YE,115
NXP USA Inc.
PDTA124EE,115
NXP USA Inc.
PDTA124TE,115
NXP USA Inc.
PDTA124XE,115
NXP USA Inc.
PDTA143EE,115
NXP USA Inc.