Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / PDTC143XQAZ
Herstellerteilenummer | PDTC143XQAZ |
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Zukünftige Teilenummer | FT-PDTC143XQAZ |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
PDTC143XQAZ Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 4.7 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 10 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 100mV @ 500µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1µA |
Frequenz - Übergang | 230MHz |
Leistung max | 280mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 3-XDFN Exposed Pad |
Supplier Device Package | DFN1010D-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PDTC143XQAZ Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | PDTC143XQAZ-FT |
PDTA123EE,115
NXP USA Inc.
PDTA123JE,115
NXP USA Inc.
PDTA123TE,115
NXP USA Inc.
PDTA123YE,115
NXP USA Inc.
PDTA124EE,115
NXP USA Inc.
PDTA124TE,115
NXP USA Inc.
PDTA124XE,115
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PDTA143EE,115
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PDTA143TE,115
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PDTA143XE,115
NXP USA Inc.