Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / PDTD113ET,215
Herstellerteilenummer | PDTD113ET,215 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-PDTD113ET,215 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
PDTD113ET,215 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 500mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 1 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 1 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 33 @ 50mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 250mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Supplier Device Package | TO-236AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PDTD113ET,215 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | PDTD113ET,215-FT |
PDTA143EEF,115
NXP USA Inc.
PDTA143ZEF,115
NXP USA Inc.
PDTC114TEF,115
NXP USA Inc.
PDTC114YEF,115
NXP USA Inc.
PDTC115EEF,115
NXP USA Inc.
PDTC123EEF,115
NXP USA Inc.
PDTC143EEF,115
NXP USA Inc.
PDTC143XEF,115
NXP USA Inc.
PDTC143ZEF,115
NXP USA Inc.
PDTC143ZU,115
Nexperia USA Inc.
M2GL050T-1FCSG325
Microsemi Corporation
A54SX32A-1CQ208
Microsemi Corporation
AT40K10-2CQI
Microchip Technology
XC4008E-1PC84C
Xilinx Inc.
XA6SLX9-3CSG225Q
Xilinx Inc.
XC7S25-L1CSGA324I
Xilinx Inc.
AFS1500-2FGG676
Microsemi Corporation
LFE2-20E-6FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA5G4F35C4N
Intel