Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / PDTD113ZQAZ
Herstellerteilenummer | PDTD113ZQAZ |
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Zukünftige Teilenummer | FT-PDTD113ZQAZ |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
PDTD113ZQAZ Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 500mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 1 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 10 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 70 @ 50mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 100mV @ 2.5mA, 50mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | 210MHz |
Leistung max | 325mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 3-XDFN Exposed Pad |
Supplier Device Package | DFN1010D-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PDTD113ZQAZ Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | PDTD113ZQAZ-FT |
PDTA124EE,115
NXP USA Inc.
PDTA124TE,115
NXP USA Inc.
PDTA124XE,115
NXP USA Inc.
PDTA143EE,115
NXP USA Inc.
PDTA143TE,115
NXP USA Inc.
PDTA143XE,115
NXP USA Inc.
PDTA143XE,135
NXP USA Inc.
PDTA143ZE,115
NXP USA Inc.
PDTA144EE,115
NXP USA Inc.
PDTA144TE,115
NXP USA Inc.