Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / PDTD123ES,126
Herstellerteilenummer | PDTD123ES,126 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-PDTD123ES,126 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
PDTD123ES,126 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | NPN - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 500mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 2.2 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 2.2 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 40 @ 50mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 500mW |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Supplier Device Package | TO-92-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PDTD123ES,126 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | PDTD123ES,126-FT |
FJN3302RBU
ON Semiconductor
FJN3303RBU
ON Semiconductor
FJN3304RBU
ON Semiconductor
FJN3305RBU
ON Semiconductor
FJN3306RBU
ON Semiconductor
FJN3307RBU
ON Semiconductor
FJN3308RBU
ON Semiconductor
FJN3309RBU
ON Semiconductor
FJN3310RBU
ON Semiconductor
FJN3311RBU
ON Semiconductor
XC2VP2-6FG456C
Xilinx Inc.
A42MX36-BGG272I
Microsemi Corporation
A54SX72A-FFG484
Microsemi Corporation
P1AFS600-2FG256I
Microsemi Corporation
EP4SGX360KF40C3
Intel
XC5VLX110T-1FFG1738CES
Xilinx Inc.
XC7VX690T-3FFG1930E
Xilinx Inc.
A54SX32A-BG329M
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX90FF1508I4
Intel