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NXP USA Inc. PHB112N06T,118

Name: PHB112N06T,118
Brand: NXP USA Inc.
SKU: PHB112N06T,118
Availability: InStock
Rating: 5.0 (666 reviews)

MFG-Teilenummer: PHB112N06T,118

verfügbare Anzahl: 24210 Stücke

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Hersteller: NXP USA Inc.

Kurze Beschreibung: TrenchMOS™ MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: PHB112N06T,118.pdf

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PHB112N06T,118 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	PHB112N06T,118
Zukünftige Teilenummer	FT-PHB112N06T,118
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	TrenchMOS™
PHB112N06T,118 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	55V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	75A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	87nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	4352pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	200W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	D2PAK
Paket / fall	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PHB112N06T,118 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	PHB112N06T,118-FT

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